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J-GLOBAL ID：201502230831875130   整理番号：15A0221167

3D Poisson方程式の解析解を使ったトライゲートGeOI p-MOSFETのためのマルチV_th効率の研究

Investigation of Multi-V_th Efficiency for Trigate GeOI p-MOSFETs Using Analytical Solution of 3-D Poisson’s Equation

著者 (4件)： WU Shu-Hua (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YU Chang-Hung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIANG Chun-Hsien (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SU Pin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 1  ページ： 88-93  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 22nm技術ノードではトライゲート構造(マルチゲートFinFET)が使われ,Si基板のGeチャネルが特にpMOSFETの性能向上に研究されている。本稿は,マルチ閾値のための薄い埋め込み酸化膜(BOX)によるトライゲートMOSFETの解析的サブ閾値モデルを記す。本モデルは,BOXを通したマルチV_th制御の予測に不可欠な基板バイアスとBOX厚さのスケーラビリティを備えている。トライゲートGeOI/SOIデバイスのマルチV_thに関係する設計のための,V_bsによる静電インテグリティとV_th調整のトレードオフを評価する本モデルの能力を示した。V_bsによるマルチV_th変調に関するGeOIとSOIの本質的差を指摘し,サブ閾値スイングとボディ効果係数(γ)が与えられるならばGeOIトライゲートMOSFETはSOIよりもフィンアスペクト比を大きくできることを示した。

シソーラス用語： 素子構造 ,  *MOSFET ,  SOI構造 ,  閾値 ,  トランジスタ ,  技術 ,  電圧 ,  Poisson方程式 ,  酸化膜 ,  性能指数 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *GeOI構造 ,  サブ閾値 ,  サブ閾値スイング ,  *トライゲート ,  マルチゲートMOSFET ,  埋込み酸化膜 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  Poisson方程式 ,  解析解 ,  トライゲート ,  マルチ ,  研究