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J-GLOBAL ID:201502231869536734   整理番号:15A0513124

無定形金属酸化物/高分子チャネル層混合物で可能となった,超柔軟性,「透明」薄膜トランジスター

Ultra-Flexible, “Invisible” Thin-Film Transistors Enabled by Amorphous Metal Oxide/Polymer Channel Layer Blends
著者 (13件):
資料名:
巻: 27  号: 14  ページ: 2390-2399  発行年: 2015年04月 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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In2O3膜にポリ(ビニルフェノール)(PVP)をドープして,超柔軟性で透明な金属酸化物トランジスターを開発した。In2O3:PVP重量比を調整して,結晶化を抑制し,効果的電荷移動のための導電経路を維持した。In2O3:5%PVP系トランジスターは,初期に11cm2V-1s-1を示し,径10mmに対する曲げ/緩和を100サイクル後にも,約90%の性能を維持した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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トランジスタ  ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  ,  半導体薄膜 

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