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J-GLOBAL ID：201502232288778717   整理番号：15A0523522

不規則ナノホールナノインプリントによる反射防止用Si基板の直接調節

Direct Tailoring the Si Substrate for Antireflection via Random Nanohole Nanoimprint

著者 (11件)： SUN Tangyou (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  XU Zhimou (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  XU Haifeng (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHAO Wenning (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  WU Xinghui (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  LIU Sisi (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  MA Zhichao (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHANG Zheng (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  HE Jian (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  LIU Shiyuan (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  PENG Jing (Wuhan Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 15  号： 2  ページ： 1297-1303  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化した穴の直径が36~97nmの不規則ナノホールSiテンプレート(直径2インチ)を用いて,反射防止用のSi基板を作製した。ソフト鋳型複製,ソフトUVナノインプリントリソグラフィー(SUNIL),誘導結合プラズマ(ICP)ドライエッチングの三段階でナノ構造パターンを移動させた。Siテンプレートはナノインプリントリソグラフィー(NIL)に反復利用できた。不規則ナノホール構造表面は平坦表面に比べて優れた反射防止特性を示した。波長400~800nm領域の反射率は34%から5%に低下した。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *細孔 ,  *リソグラフィー ,  誘導結合プラズマ ,  ドライエッチング ,  パターン形成 ,  ウエハ【IC】 ,  反射率 ,  光反射 ,  電子顕微鏡観察 ,  周期構造
準シソーラス用語： Si基板 ,  *ナノインプリントリソグラフィー ,  ナノパターン形成 ,  *ナノホール ,  *反射防止構造 ,  サブ波長構造

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノホール ,  ナノインプリント ,  反射防止 ,  Si基板 ,  調節