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J-GLOBAL ID:201502233401136618   整理番号:15A0704867

ZnO-(GaN:ZnO)コア-シェル型ナノロッド光陽極に対する様々な表面修飾法とその光触媒的水分解反応への影響

著者 (9件):
資料名:
巻: 95th  号:ページ: 610  発行年: 2015年03月11日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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ZnOは電気伝導性の比較的高く,ナノ構造を容易に構築する半導体である。本研究ではa面サファイア基板上に金をスパッタし,VLS機構を用いたCVD法によりZnOのナノロッドを得た。ZnOナノロッド上にTris(dimethylamido)galliumを前駆体に用いたALD法によりGa2O3層を形成させ,アンモニア気流下で加熱窒化によりGaN:ZnOの固溶体からなるシェルを得た。コア-シェル型のナノロッドを光陽極とし,擬似太陽光照射下において,様々な表面修飾による応答光電流への影響を検討したので報告する。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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光化学反応  ,  コバルトとニッケルの錯体 

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