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J-GLOBAL ID：201502234194325843   整理番号：15A0217772

SiCナノワイヤコアの電界放出性能向上のための非晶質炭素での被覆

Amorphous carbon coating for improving the field emission performance of SiC nanowire cores

著者 (8件)： ZHANG M. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  LI Z. J. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  ZHAO J. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  GONG L. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  MENG A. L. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  LIU X. L. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  FAN X. Y. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Qingdao, CHN) ,  QI X. L. (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 3  ページ： 658-663  発行年： 2015年01月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCナノワイヤの電界放出性はその優れた性質である。SiCナノワイヤの電界放出効率を高める一つの手法は,表面を仕事関数が低い物質で修飾することである。この観点から,Fe(NO₃)₃-Ni(NO₃)₂触媒を用いた蒸気反応により,SiCナノワイヤ表面に非晶質炭素(a-C)による修飾を施した。作り上げた物質のSEM観察から,これが代表的長さが60μm以上のSiC@a-C同軸構造体であることを確認した。SiC@a-Cの電界放出挙動を測定したところ,ターンオン電界と閾電場それぞれが0.5V/μmと2.1V/μmという優れた電界放出性能であった。SiC@a-Cは電子放出材料の分野での多大な用途が期待できる。さらにSiCナノワイヤの電子放出性能の改善に対する新たな電子輸送機構を提唱した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *電界放出 ,  *炭素材 ,  電場 ,  電子放出材料 ,  輸送現象 ,  機構 ,  *表面改質 ,  仕事関数 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： ターンオン電界 ,  成長機構 ,  電子輸送 ,  *非晶質炭素 ,  閾電場

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  ナノワイヤ ,  コア ,  電界放出 ,  性能向上 ,  非晶質炭素