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J-GLOBAL ID：201502234367187182   整理番号：15A0440830

硫黄ソースとしてアンモニアチオ硫酸塩を使った硫化カドミウムの電気めっきとキャラクタリゼーション

Electro-plating and characterisation of cadmium sulphide thin films using ammonium thiosulphate as the sulphur source

著者 (6件)： ABDUL-MANAF N. A. (Sheffield Hallam Univ., Electronic Materials and Sensors Group, Materials and Engineering Res. Inst., Fac. of Arts ...) ,  WEERASINGHE A. R. (Sheffield Hallam Univ., Electronic Materials and Sensors Group, Materials and Engineering Res. Inst., Fac. of Arts ...) ,  WEERASINGHE A. R. (California State Univ., Dep. of Mechanical Engineering, Fresno 2320 E. San Ramon M/S EE94, 93740, Fresno, CA, USA) ,  ECHENDU O. K. (Sheffield Hallam Univ., Electronic Materials and Sensors Group, Materials and Engineering Res. Inst., Fac. of Arts ...) ,  ECHENDU O. K. (Federal Univ. of Technol., Dep. of Physics, P.M.B. 1526, Owerri, Nigeria) ,  DHARMADASA I. M. (Sheffield Hallam Univ., Electronic Materials and Sensors Group, Materials and Engineering Res. Inst., Fac. of Arts ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 4  ページ： 2418-2429  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化カドミウム(CdS)薄膜をCdCl₂とアンモニアチオ硫酸塩((NH₄)₂S₂O₃)を含む水電解質浴からの電気めっき技術で制作に成功した。この薄膜の構造,組成,光学モルフォロジ,電気的性質をX線回折(XRD),Raman分光,エネルギー分散X線分光,UV-Vis分光,走査電子顕微鏡(SEM),原子間力顕微鏡(AFM),光電気化学セル,DC電流電圧(I-V)測定で調べた。最適カソード電位は2電極システムでカーボンアノードにたいして1.455mVになった。XRDを使った構造解析ではデポジット後のCdS試料で六方晶と立方晶の混合が見られ,400°C20分の熱処理後には六方晶構造への相転換が起きた。光学的調査ではバンドエッジの改善が示され,熱処理後で膜のバンドギャップは2.42eVになった。熱処理したCdS膜は500nmより長い波長にたいして透過率が良くなった。SEMとAFMでは熱処理料はより均一,平滑でグレインサイズが大きいことが分かった。電気的調査ではCdS薄膜がn型電気伝導であり,熱処理したCdS薄膜の比抵抗が10⁵Ωcmのオーダーであることが確認された。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  薄膜 ,  *電気めっき ,  モルフォロジー ,  電気的性質 ,  X線回折 ,  Raman分光分析 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  吸光分光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  反応器 ,  バンドギャップ ,  熱処理 ,  透過率 ,  電気抵抗率 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： UV-Vis分光光度法 ,  光電気化学セル ,  比抵抗

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫黄 ,  ソース ,  アンモニア ,  チオ硫酸塩 ,  硫化カドミウム ,  電気めっき ,  キャラクタリゼーション