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J-GLOBAL ID：201502234436520093   整理番号：15A0756515

Au/Ca₃Co₄Ga_0.001O_x/n-Si/Au(MIS)型構造の80~340Kの温度における2重指数関数順方向バイアス電流-電圧(I-V)について

On double exponential forward bias current-voltage (I-V) characteristics of Au/Ca₃Co₄Ga_0.001O_x/n-Si/Au (MIS) type structures in temperature range of 80-340K

著者 (5件)： MARIL E. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  ALTINDAL S. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  KAYA A. (Turgut Oezal Univ., Ankara, TUR) ,  KOCYIGIT S. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  USLU I. (Gazi Univ., Ankara, TUR)
資料名： Philosophical Magazine  (Philosophical Magazine)
巻： 95  号： 10-12  ページ： 1049-1068  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： E0753C  ISSN： 1478-6435  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/Ca₃Co₄Ga_0.001O_x/n-Si/Au(MIS)型構造の電流輸送機構(CTM)を,80~340Kの温度範囲で電流-電圧(I-V)特性を用いて調べた。片対数I-Vプロットにより,それぞれ低バイス(0.075~0.250V)および中間バイアス(0.27~0.70V)に対応する2つの線形領域が得られた。ゼロバイアス障壁高さ(Φ_B0)は温度上昇とともに増大し,理想係数(n)は逆の挙動を示した。障壁高さのガウス分布(GD)の証拠を得るため,Φ_B0および(n^-1-1)とq/2kT,およびΦ_B0とnの関係をプロットした結果,これらも低温(80~160K)および高温(200~340K)でそれぞれ線形関係を示した。Φ_B0の平均値と標準偏差(σ_s)を2つの線形温度領域で求めた。また,修正リチャードソンの式から2つの線形温度領域において,高バイアスおよび低バイアスにおけるΦ_B0とリチャードソン定数(A^*)を求めた。結論として,本構造におけるCTMは,障壁高さが2重ガウス分布をもつ熱電子放出理論でうまく説明できる。

シソーラス用語： *電流電圧特性 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  金 ,  *高さ ,  正規分布 ,  金属薄膜 ,  半導体薄膜 ,  酸化物 ,  カルシウム化合物 ,  コバルト化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *多層構造 ,  *バイアス ,  温度依存性 ,  *熱電子放出 ,  *MIS構造
準シソーラス用語： *障壁高さ ,  Gauss分布

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Au ,  Si ,  MIS ,  型 ,  指数関数 ,  バイアス電流