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J-GLOBAL ID:201502234701259998   整理番号:15A0598438

(100-x)ZnO-xBi2O3セラミックターゲットを用いてマグネトロンスパッタで作製したボロンドープZnO薄膜のキャラクタラリゼーション

Characterization of boron-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering with (100- x)ZnO-xB2O3 ceramic targets
著者 (2件):
資料名:
巻: 583  ページ: 205-211  発行年: 2015年05月29日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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(100-x)ZnO-xBi2O3(x=0,1,2,3,4,5,7および10重量%)のいろいろな組成のセラミックターゲットを用いて,高周波マグネトロンスパッタによりボロンドープ酸化亜鉛(ZnO:B)薄膜を作製した。ZnO:B薄膜の表面形態,結晶構造,透過率,および電気的挙動は,セラミックターゲットのボロン含有量に依存することを見出した。我々の結果は,3重量%Bi2O3セラミックターゲットを用いて堆積させたZnO:B薄膜は5.65×10-3Ωcmの最も低い抵抗率,および90%の可視光透過率を示すことを示唆した。本研究は,セラミックターゲットによるZnO薄膜へのBの効果的ドーピングを明らかにした。ZnO-Bi2O3セラミックターゲット組成とZnO:B薄膜の特性との相関についても検討した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  その他の無機化合物の電気伝導 

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