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J-GLOBAL ID：201502234989914294   整理番号：15A0596740

InAsナノワイヤの顕著で結晶構造依存性の圧電および抵抗の圧力効果

Remarkable and Crystal-Structure-Dependent Piezoelectric and Piezoresistive Effects of InAs Nanowires

著者 (6件)： LI Xing (Key Lab. for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Dep. of Electronics, Peking Univ., Beijing, 100871, CHN) ,  WEI Xianlong ,  XU Tingting ,  PAN Dong ,  ZHAO Jianhua ,  CHEN Qing
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 27  号： 18  ページ： 2852-2858  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsナノワイヤの圧電および抵抗圧力効果を初めて実証し,顕著なナノワイヤ結晶構造依存性を観察した。〈0001〉配向ウルツ鉱型単結晶ナノワイヤは顕著な圧電および抵抗圧力効果を示すのに対し,ウルツ鉱型〈11-20〉,せん亜鉛鉱型〈011〉,〈103〉,〈-2-11〉の配向単結晶ナノワイヤはこれらの性質をほとんど示さず,スタッキング欠陥により顕著に抑制された。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  結晶構造 ,  *圧電体 ,  *電気抵抗 ,  *圧力効果 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  結晶方位 ,  単結晶 ,  欠陥 ,  積層構造
準シソーラス用語： スタッキング【結晶】 ,  結晶配向 ,  *構造依存性

分類 (4件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  ナノワイヤ ,  結晶 ,  構造依存性 ,  圧電 ,  圧力効果