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J-GLOBAL ID：201502235747178310   整理番号：15A0621548

ボールミル粉砕プロセスで調製したMgSnOの合成と特性評価

Synthesis and characterization of MgSnO prepared via a ball milling process

著者 (5件)： HE Haiying (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...) ,  XIE Zhengcai (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...) ,  LI Qingqing (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...) ,  LUO Yiyun (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...) ,  NIU Hanben (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 151  ページ： 41-44  発行年： 2015年07月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgO-SnO₂(MgSnO)のナノ結晶粉末を種々の処理時間による高エネルギーボールミル粉砕とアニール温度で実験的に得た。ミル粉砕時間が増加すると,MgSnO粉末の平均的な結晶子サイズは減少し,格子歪みは増加した。X線回折結果から,ミル粉砕したMgSnO粉末を1000°C以上の温度で焼成するとMg₂SnO₄相が生成した。500°Cでアニールした膜は,以前に報告したボールミル粉砕無しでMgをドープしたSnO₂よりも可視光領域でより高い透過率(~92%)を示した。MTO膜の表面形態はアニール温度に依存した。作製したMgSnO TFTを電子蓄積モードで動作させるとnチャネル動作を示した。また,デバイスのサブスレショルド電圧スイング値は0.29V/decadeであった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  *ボールミル ,  エネルギー ,  粉砕 ,  *焼なまし ,  酸化マグネシウム ,  酸化スズ ,  時間依存性 ,  *結晶粒径 ,  *格子歪 ,  焼成 ,  *透過率 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  温度依存性 ,  *薄膜トランジスタ ,  電圧 ,  閾値
準シソーラス用語： TFT【トランジスタ】 ,  アニール ,  結晶子サイズ ,  高エネルギーボールミル ,  酸化マグネシウムスズ ,  表面形態 ,  閾値電圧

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ボールミル粉砕 ,  プロセス ,  調製 ,  特性評価