文献
J-GLOBAL ID：201502236536162022
整理番号：15A0259543
60GHz用で90nm CMOSのV波帯低雑音増幅器の解析および設計
Analysis and design of a V-band low-noise amplifier in 90 nm CMOS for 60 GHz applications
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=15A0259543&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=U0039A") }}
著者 (4件)：
,
,
,
資料名：
巻：
12
号：
1
ページ：
20141097-20141097 (J-STAGE)
発行年：
2015年
JST資料番号：
U0039A
ISSN：
1349-2543
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本文では,90nm LP CMOSで利得ブースト法と雑音低減法を用いたV波帯低雑音増幅器を実現する。これらの二つの方法の動作原理を詳細に解析する。ここで作製したLNAはピーク利得が19.8dBであり,3dB帯域幅が10.5GHzであり,NFが61.5GHzで5.86dBである。更に,このLNAのリバースアイソレーションは全周波数で50dBよりも優れている。その入力リターンロスおよび出力リターンロスは中国の60GHz無認可帯域(59-64GHz)で両方とも-10dBより低い。その全チップ面積はテストパッドを含めて0.36mm
2である。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
増幅回路
, 半導体集積回路
引用文献 (9件)：
-
[1] P. Sakian, E. Janssen, A. H. M. van Roermund and R. Mahmoudi: IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 60 (2012) 702. DOI:10.1109/TMTT.2011.2178426
-
[2] R. Cohen, O. Degani and D. Ritter: IEEE Radio Freq. Integr. Circuits Symp. Dig. (2012) 207. DOI:10.1109/RFIC.2012.6242265
-
[3] W. Liang, W. Hong and J. Chen: IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 61 (2013) 3892. DOI:10.1109/TMTT.2013.2281961
-
[4] T. H. Lee, H. Samavati and H. R. Rategh: IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 50 (2002) 268. DOI:10.1109/22.981280
-
[5] B. J. Huang, K. Y. Lin and H. Wang: IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 57 (2009) 3049. DOI:10.1109/TMTT.2009.2033238
もっと見る
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
,
,
,
前のページに戻る
