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J-GLOBAL ID：201502236695406129   整理番号：15A0590066

BドープTiO₂のドープB³⁺イオンの存在状態

The existing states of doped B³⁺ ions on the B doped TiO₂

著者 (6件)： ZHAO Dandan (The MOE Key Lab. of Weak Light Ninlinear Photonics, TEDA Applied Physics Inst. and School of Physics, Nankai Univ. ...) ,  YU Yanlong (The MOE Key Lab. of Weak Light Ninlinear Photonics, TEDA Applied Physics Inst. and School of Physics, Nankai Univ. ...) ,  CAO Chi (Coll. of Chemistry and Chemical Engineering, Lanzhou Univ., Lanzhou 730000, CHN) ,  WANG Jingsheng (The MOE Key Lab. of Weak Light Ninlinear Photonics, TEDA Applied Physics Inst. and School of Physics, Nankai Univ. ...) ,  WANG Enjun (Hefei Institutes of Physical Sci., Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN) ,  CAO Yaan (The MOE Key Lab. of Weak Light Ninlinear Photonics, TEDA Applied Physics Inst. and School of Physics, Nankai Univ. ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 345  ページ： 67-71  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連のBドープTiO₂試料を簡単なゾル-ゲル法で合成した。導入したホウ素イオンの存在状態とドーピング挙動および相転移への影響を調べ,詳しく研究した。B³⁺イオンは主としてTiO₂格子内に格子間モードで取込まれていることを示した。ホウ素イオンの増量と共にTiO₂の表面に表面B₂O₃種が形成した。さらに,格子間モードへのB³⁺イオンの導入はルチルの形成を妨げ,相転移を遅らせる。これらの結果はBドープTiO₂のドーピング機構に関するよりよい理解を提供する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ホウ素 ,  *ドーピング ,  *酸化チタン ,  ゾル-ゲル法 ,  カチオン ,  格子間原子 ,  アナターゼ型結晶 ,  ルチル型結晶 ,  *多形転移 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  X線光電子スペクトル ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *二酸化チタン

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  TiO2 ,  イオン