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J-GLOBAL ID：201502236750376455   整理番号：15A0581199

アンチモン化インジウムdバンドの電子構造に及ぼすスピン-軌道相互作用の効果

Effect of spin-orbit interaction on the electronic structure of indium-antimonide d bands

著者 (2件)： SOBOLEV V. V. (Udmurt State Univ., 426034, Izhevsk, RUS) ,  PEREVOSHCHIKOV D. A. (Udmurt State Univ., 426034, Izhevsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 5  ページ： 570-573  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチモン化インジウム(InSb)d軌道のバンドおよび状態密度を,スピン-軌道相互作用を考慮および無視することにより決定した。スピン-軌道相互作用を考慮することにより,~(0.79~0.86)eVでの核d準位のバンド分裂だけでなく,またバンド分散の相当な変化をもたらすことを明らかにした。主として状態密度に寄与するのは,e_gおよびt_2g対称性を持つインジウム4d状態であることを明らかにした。計算は,一般化勾配近似法(LAPW+GGA)で交換相互作用ポテンシャルを持つLAPW法により行った。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *分子軌道 ,  *電子構造 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  *アンチモン化インジウム ,  インジウム ,  状態密度 ,  APW法 ,  密度汎関数法 ,  交換相互作用 ,  対称性
準シソーラス用語： *d軌道 ,  GGA【近似】 ,  LAPW法 ,  バンド分裂 ,  一般化勾配近似法

分類 (1件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (4件)： アンチモン化インジウム ,  Dバンド ,  電子構造 ,  スピン-軌道相互作用