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J-GLOBAL ID：201502236877537709   整理番号：15A0294944

新しい3元系強誘電体Pb(Ho_1/2Nb_1/2)O₃-Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃単結晶の高い圧電応答

High piezoelectric response of a new ternary ferroelectric pb(Ho_1/2Nb_1/2)O₃-pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ single crystal

著者 (8件)： LI Xiuzhi (Key Lab. of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese ...) ,  WANG Zujian (Key Lab. of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese ...) ,  HE Chao (Key Lab. of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese ...) ,  LIU Ying (Key Lab. of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese ...) ,  LONG Xifa (Key Lab. of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese ...) ,  LONG Xifa (Key Lab. of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS; Xinjiang Technical Inst. of Physics & ...) ,  HAN Shujuan (Key Lab. of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS; Xinjiang Technical Inst. of Physics & ...) ,  PAN Shilie (Key Lab. of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS; Xinjiang Technical Inst. of Physics & ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 143  ページ： 88-90  発行年： 2015年03月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 寸法が24×24×15mm³のPb(Ho_1/2Nb_1/2)O₃-Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃3元系圧電/強誘電結晶をトップシード溶液成長(TSSG)法により初めて成長させた。成長した結晶の構造とdi-/圧電/強誘電特性を特性評価した。圧電係数d₃₃は[001]配向した試料で3297pC/Nに達し,他のこれまで報告された3元結晶に比べて非常に大きかった。Curie温度T_cと菱面体晶-正方晶の相転移温度T_RTは各々140°Cと76°Cに達した。[001]配向した結晶の室温での誘電率ε′,誘電正接tanδ,長手方向の電気機械結合係数k₃₃,残留分極P_r及び抗電界E_cは各々10390,0.068,92%,24.5μC/cm²及び3.22kV/cmであった。これらの結果から,Pb(Ho_1/2Nb_1/2)O₃-Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃結晶は電気機械変換器分野への応用が期待される。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *圧電セラミック ,  *強誘電体 ,  *鉛化合物 ,  *ホルミウム化合物 ,  *ニオブ化合物 ,  *酸化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *チタン酸鉛 ,  三成分系 ,  *単結晶 ,  *応答 ,  圧電気 ,  溶液成長 ,  結晶構造 ,  強誘電性 ,  定数 ,  Curie温度 ,  三方晶系 ,  正方晶系 ,  構造相転移 ,  転移温度 ,  誘電率 ,  誘電正接 ,  結合係数 ,  残留分極 ,  抗電場
準シソーラス用語： トップシード溶液成長法 ,  *圧電応答 ,  圧電係数 ,  電気機械結合係数

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  Pb ,  O3 ,  単結晶 ,  圧電応答