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J-GLOBAL ID：201502237078324847   整理番号：15A0733417

高開回路電圧ペロブスカイト太陽電池に用いるNb₂O₅ブロッキング層

Nb₂O₅ Blocking Layer for High Open-circuit Voltage Perovskite Solar Cells

著者 (4件)： KOGO Atsushi (Graduate School of Engineering, Toin Univ. of Yokohama) ,  NUMATA Youhei (Graduate School of Engineering, Toin Univ. of Yokohama) ,  IKEGAMI Masashi (Graduate School of Engineering, Toin Univ. of Yokohama) ,  MIYASAKA Tsutomu (Graduate School of Engineering, Toin Univ. of Yokohama)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
巻： 44  号： 6  ページ： 829-830 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理Nb₂O₅膜を,初めてCH₃NH₃PbI_3-xCl_x系太陽電池の薄いブロッキング層(BL)として用いた。Nb₂O₅ BLをもつ電池は通常のTiO₂ BLをもつ電池より大きい開回路光電圧を示した。暗電流挙動からFドープ酸化スズ電極からペロブスカイト層への再結合がNb₂O₅ BLによって効果的にブロックされることが示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電圧 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *太陽電池 ,  *酸化ニオブ ,  *層 ,  処理 ,  鉛化合物 ,  ヨウ化物 ,  塩化物 ,  暗電流 ,  透明電極 ,  再結合 ,  *薄膜 ,  電気特性 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： フッ素ドープ酸化スズ電極 ,  *ブロッキング層 ,  *開回路電圧 ,  酸化物薄膜 ,  溶液処理 ,  電流密度-電圧特性 ,  電子注入

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (3件)： 開回路電圧 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  ブロッキング層