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J-GLOBAL ID：201502237441575385   整理番号：15A0562253

ブロック共重合体の自己組織化によって製造した高密度ナノデバイスにおける抵抗スイッチング

Resistive Switching in High-Density Nanodevices Fabricated by Block Copolymer Self-Assembly

著者 (9件)： FRASCAROLI Jacopo (IMM, CNR, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  FRASCAROLI Jacopo (INRiM, Torino, ITA) ,  FRASCAROLI Jacopo (Univ. Milan, Milano, ITA) ,  BRIVIO Stefano (IMM, CNR, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  LUPI Federico Ferrarese (IMM, CNR, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  SEGUINI Gabriele (IMM, CNR, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  BOARINO Luca (INRiM, Torino, ITA) ,  PEREGO Michele (IMM, CNR, Agrate Brianza (MB), ITA) ,  SPIGA Sabina (IMM, CNR, Agrate Brianza (MB), ITA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 3  ページ： 2518-2529  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物に基づくバイポーラ抵抗スイッチングメモリは,簡単なプロセス集積,メモリ性能,及び,拡張性の点で大きな可能性を示す。ブロック共重合体(BCP)自己組織化に基づくボトムアップ作製プロセスによって,28nmの良く制御された直径と5×10¹⁰デバイス/cm²の密度を持つPt/Ti/HfO₂/TiN抵抗スイッチングメモリデバイスの秩序化アレイを作製することが可能になった。二層Pt/Ti上部層を伝導性原子間力顕微鏡(C-AFM)を用いて接触させ,デバイス初期状態変動の評価が可能になった。初期状態変動は,HfO₂/TiN積層に無作為に拡がる漏れ電流経路が固有に存在することと関連した。バイポーラ抵抗スイッチング(RS)動作を作製ナノスケールデバイスにおいて確認した。形成電圧は,上部電極としてC-AFMチップを直接採用した場合に一般に観察されるものより低かった。調べたナノデバイスが高密度のために,75nmの距離にある2つの異なったメモリセル間のクロストークを観察した。観察したクロストーク現象をスイッチングデバイスの構造に関連づけた。この構造は,異なるデバイス間の漏洩関係につながるフィラメント伝導経路の形成を決定する。従って,報告した実験データは,連続HfO₂/TiN薄膜に基づく超高密度メモリアレイの重要な拡張性問題の発生を示唆する。特に,RSメモリデバイスの3D集積のための有望な解と考えられた後者のアプローチは,高密度構造を考慮すると失敗する。結果として,各単一セルの電気スイッチング現象を分離するために,もう一つの集積方式を考える必要がある。

シソーラス用語： *半導体メモリ ,  *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  ナノ構造 ,  ブロック共重合体 ,  自己組織化 ,  RAM【メモリ】 ,  酸化ハフニウム ,  パターン形成 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： パターンニング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブロック共重合体 ,  自己組織化 ,  高密度 ,  ナノデバイス ,  抵抗スイッチング