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J-GLOBAL ID:201502238435322889   整理番号:15A0115982

多孔質ケイ素のフェムト秒レーザーアブレーションによる超微小ケイ素ナノ粒子の合成

Synthesis of ultra-small silicon nanoparticles by femtosecond laser ablation of porous silicon
著者 (8件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 1666-1672  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: B0722A  ISSN: 0022-2461  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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フェムト秒レーザーパルスを用いてアセトン中の多孔質ケイ素(pSi)をアブレーションして超微小(1~10nm)コロイド状ケイ素ナノ粒子(Si NPs)を合成する詳細な研究を行った。多孔質ケイ素は多数の発光ケイ素ナノ粒子を含むためアブレーションのターゲット材料と考えられた。pSi試料をHF水溶液中,異なるエッチング電流密度で陽極エッチングして調製した。透過型電子顕微鏡測定により良好に分離した球状ケイ素ナノ粒子の形成を確認した。pSiターゲットを調製するために用いた平均陽極エッチング電流密度が5,10,20mA/cm2の時,球状NPsの平均径はそれぞれ~7.6,~7,~6nmと推定された。これらのSiNPsの結晶度は選択領域電子回折とRaman分光測定により確認した。観察された吸収と発光のスペクトルでの青方偏移はエッチング電流密度の増加に伴う平均粒子径の減少に起因した。これらSi NPsは低次元マイロエレクトロニクス適合フォトニック素子の製造に有用だと考えられる。Copyright 2014 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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レーザ照射・損傷  ,  金属の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (4件):
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