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J-GLOBAL ID：201502238469121882   整理番号：15A0590090

増強電界放出特性のためのZnOナノワイヤ上に成長させたV₂O₅ナノ粒子

V₂O₅ nanoparticles grown on ZnO nanowires for enhanced field emission properties

著者 (7件)： YIN Haihong (School of Electronics and Information, Nantong Univ., Nantong 226019, CHN) ,  YIN Haihong (Key Lab. of Polar Materials and Devices (Ministry of Education of China), Dep. of Electronic Engineering, East China ...) ,  SONG Changqing (School of Electronics and Information, Nantong Univ., Nantong 226019, CHN) ,  SONG Changqing (Key Lab. of Polar Materials and Devices (Ministry of Education of China), Dep. of Electronic Engineering, East China ...) ,  WANG Zhiliang (School of Electronics and Information, Nantong Univ., Nantong 226019, CHN) ,  GUO Bangjun (Key Lab. of Polar Materials and Devices (Ministry of Education of China), Dep. of Electronic Engineering, East China ...) ,  YU Ke (Key Lab. of Polar Materials and Devices (Ministry of Education of China), Dep. of Electronic Engineering, East China ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 345  ページ： 256-263  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V₂O₅の電界放出(FE)特性を改善するために,ZnOナノワイヤをテンプレートとして利用し,V₂O₅ナノ粒子を化学蒸着(CVD)ルートとそれに続く高速焼なまし処理により,それらの上に成功裡に成長し,被覆した。粒子のサイズと形状はV₂O₅の温度に敏感な結晶化で決定される。異なる表面モルフォロジーをもつ三種類の試料がそれぞれ370,450および510°Cで得られ,V₂O₅ナノ粒子は鋭い先端部を形成しながら表面上に成長する。SEMの結果は450°Cの試料が最も鋭い先端部をもつことを明らかにし,その化学状態と成分をXRD解析で調べ,ZnO上のV₂O₅の被覆を確認した。この三つの試料に対するFE測定は純粋なV₂O₅や裸のZnOと比較して増強FE特性を示した。さらに,450°Cの試料のFE特性が三つの試料の中で最高で,4.38V/μm(V₂O₅)から2.25V/μmmまで顕著に低減した低いターンオン電場と0.21mA/cm²(V₂O₅)から4.98mA/cm²まで顕著に増加した高電流密度(5V/μmで)を示した。対応する電場増強因子(β)も3066まで大幅に増加し,純粋なV₂O₅ナノ粒子の値(β_X≒920,X=V₂O₅)よりずっと高く,裸のZnOの値(β_ZnO≒1590)より高かった。等ポテンシャルモデル解析は,この増強FE特性はV₂O₅ナノ粒子で形成された鋭い先端部によるもので,導入したV₂O₅先端部が表面上の独立したエミッタとして作用し,それらの先端部の周囲の高い局所電場がトンネリング確率を増加させることを明らかにした。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *酸化亜鉛 ,  *酸化バナジウム ,  *ナノ粒子 ,  ナノ複合材料 ,  化学蒸着 ,  焼なまし ,  鋳型反応 ,  *電界放出 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  ターンオン ,  電流密度 ,  トンネル効果 ,  電極チップ ,  真空マイクロデバイス
準シソーラス用語： ZnOナノワイヤ ,  テンプレート【鋳型反応】 ,  表面モルフォロジー

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 増強 ,  電界放出 ,  ZnOナノワイヤ ,  成長 ,  ナノ粒子