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J-GLOBAL ID：201502238532603396   整理番号：14A1408730

InP系光集積回路のための強化された不純物フリー相互混合バンドギャップ工学【Powered by NICT】

Enhanced Impurity-Free Intermixing Bandgap Engineering for InP-Based Photonic Integrated Circuits

著者 (5件)： Cui Xiao (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...) ,  Zhang Can (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...) ,  Liang Song (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...) ,  Zhu Hongliang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Chinese Acad. of ...) ,  Hou Lianping (School of Engineering, Univ. of Glasgow, UK, Glasgow)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 044204-1-044204-4  発行年： 2014年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリングCu/SiO_層とそれに続く急速熱処理(RTP)を用いたInGaAsP多重量子井戸(MQW)の不純物フリー相互混合を実証した。バンドギャップエネルギーは,簡単な方法でフォトニック集積回路のためのレーザ,変調器,光検出器,及び受動導波路のための要求を満足させるためにCu,RTP温度と時間のスパッタリングパワーと時間を変化させることによって調節できた。MQWのバンドギャップ波長の青方偏移は,異なるスパッタリングとアニーリング条件に実験的に研究した。Cu層を導入すると,普通の不純物フリー空格子点不規則化法よりも大きく青方偏移を増加させることができたことは明らかである。最大172nmのバンドギャップ青方偏移は750°C,200秒のアニーリング条件を実現した。改善技術は,簡単なプロセスかつ低コストで単一ウエハ上に能動/受動オプトエレクトロニクス部品の作製に有望である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *光集積回路 ,  *不純物 ,  *バンドギャップ ,  スパッタリング ,  RTA【熱処理】 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  多重量子井戸 ,  青方偏移 ,  焼なまし ,  銅 ,  空格子点 ,  ウエハ【IC】 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： *相互混合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  光集積回路 ,  強化 ,  不純物 ,  相互混合 ,  バンドギャップ ,  工学