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J-GLOBAL ID：201502238792513498   整理番号：15A0481322

n-ZnOナノロッド/i-MgO/p-GaN構造発光ダイオードに基づく自己出力型可視光遮蔽紫外検出器

Self-powered, visible-blind ultraviolet photodetector based on n-ZnO nanorods/i-MgO/p-GaN structure light-emitting diodes

著者 (6件)： ZHOU Hai (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Fac. of Physics and Electronic Sci. ...) ,  GUI Pengbin ,  YU Qiuheng ,  MEI Jun ,  WANG Hao ,  FANG Guojia
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 5  ページ： 990-994  発行年： 2015年02月07日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-GaNと溶液処理i--MgO/n-ZnOナノロッドが集合した発光ダイオードn-ZnOナノロッド(NR)/i--MgO/p-GaN構造に基づく自己出力可視遮蔽紫外(UV)検出器を報告した。光密度11.2μW/cm²,365nm UV照射下でMgO挿入層を有する素子は良好な光起電性を示し,開放電圧と短絡電流はそれぞれ1.02Vと510nAとなった。それは良好な可視光遮蔽UV光応答性を示し,365nmで8000という高い光電流-暗電流比と34.5に達する紫外-可視応答比(R_350nm/R_500nm)を有した。さらに,MgO挿入層を有する素子の応答性は254nmでn-ZnO NR/p-GaNヘテロ接合の場合より5倍大きかった。さらに,n-ZnO NR/i-MgO/p-GaNヘテロ接合は順方向バイアスでエレクトロルミネセンス特性を示した。Gauss関数を用いたピークデコンボリューションによりこれを解析した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： ナノロッド ,  化合物半導体 ,  酸化亜鉛 ,  *PIN接合 ,  *発光ダイオード ,  酸化マグネシウム ,  窒化ガリウム ,  *紫外検出器 ,  エレクトロルミネセンス ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  エネルギーバンド

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ZnOナノロッド ,  MgO ,  GaN ,  発光ダイオード ,  自己 ,  可視光 ,  遮蔽 ,  紫外検出器