文献

J-GLOBAL ID：201502238908351954   整理番号：15A0521098

2-D多孔質構造を有する光電気活性3元カルコゲニド-インジウム-すず

Photo-electroactive ternary chalcogenido-indate-stannates with a unique 2-D porous structure

著者 (7件)： WU Jing (Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci., Soochow Univ., Suzhou 215123, P. R. China. ...) ,  PU Ya-Yang ,  ZHAO Xiao-Wei ,  QIAN Li-Wen ,  BIAN Guo-Qing ,  ZHU Qin-Yu ,  DAI Jie
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 44  号： 10  ページ： 4520-4525  発行年： 2015年03月14日 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アミンや複雑なカチオンを含む多くの3元In-Sb-Q(Q=S,Se)カルコゲニドメタラート化合物が構造上の多様性のために報告されているが,In-Sn-Qのカルコゲニドメタラート化合物はほとんど報告されていない。本研究で筆者らは,金属-フェナントロリンカチオン性鋳型,即ち,[M(Phen)₃](In₂Sn₂Q₈)(アミン)・nH₂O(M=Ni(II),Fe(II),又はCo(II);アミン=シクロヘキシルアミン(Cha),又は1,6-ジアミノヘキサン(Dah);Q=S,又はSe)を利用して合成した一連の2-D In-Sn-Q化合物を報告する。これらのアニオンは,等構造の大きな16-四面体環を有する2-D多孔質ネットワークである。In-Sn-Qの2-Dネットワークのジョイントは,(In/Sn)₃Q₃6員環であり,大部分の2-D Sn-Qの2元化合物のSn₃Q₄の擬セミ立方と異なる。本研究の材料は,光電気化学セルを利用して測定した光電流応答特性を示す。この結果は,(1)セレン化物が硫化物よりも大きな光電流を示し,(2)電流強度が金属-フェナントロリンカチオンに関係することを示す。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： ニッケル錯体 ,  鉄錯体 ,  コバルト錯体 ,  構造 ,  *カルコゲン化物 ,  *インジウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  反応器 ,  光電流 ,  硫化物 ,  セレン化物 ,  水和物 ,  結晶構造 ,  化学合成 ,  脂環式化合物 ,  第一アミン ,  アルキレンジアミン ,  ジアミン ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： *多孔質構造 ,  光電気化学セル ,  鋳型合成

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (3件)： シクロヘキシルアミン ,  1,6-ジアミノヘキサン ,  1,10-フェナントロリン

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質構造 ,  電気活性 ,  カルコゲニド ,  インジウム ,  すず