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J-GLOBAL ID:201502238922017676   整理番号:15A0229942

超高速レーザ加熱によって誘発されたナノスケールシリコン膜における熱伝達の格子Boltzmann数値解析

Lattice Boltzmann numerical analysis of heat transfer in nano-scale silicon films induced by ultra-fast laser heating
著者 (2件):
資料名:
巻: 89  ページ: 210-221  発行年: 2015年03月 
JST資料番号: B0246B  ISSN: 1290-0729  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: フランス (FRA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,格子Boltzmann法を使用してナノスケール厚みのシリコン薄膜の超高速レーザ加熱をシミュレートした。超高速レーザによって加熱されたシリコン薄膜の熱伝導が,薄膜表面での境界条件によって著しく影響される波状挙動を示すことを著者らの結果は示した。超高速レーザによってシリコン薄膜の両面を同時に加熱することは反対方向に伝搬する2つの温度波を誘導でき,それらの相互作用は薄膜の中間領域でのかなりの温度上昇を引き起こすことも見出した。また,薄膜の2つの表面間の加熱遅延時間を変化させることによってエネルギー密度が最高値を達成した位置を変えることができる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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加熱  ,  伝熱一般・基礎 

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