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J-GLOBAL ID:201502239373242383   整理番号:15A0094139

3バンド,2RX MIMO,1TX TD-LTE CMOSトランシーバ

A tri-band, 2-RX MIMO, 1-TX TD-LTE CMOS transceiver
著者 (13件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 59-66  発行年: 2015年01月 
JST資料番号: A0186A  ISSN: 0026-2692  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,3バンド(バンド39:1880~1920MHz,バンド40:2300~2400MHz,バンド38:2570~2620MHz),2受信機(RX)多入力多出力(MIMO),1送信機(TX)TD-LTE(時間分割ロングタームエボリューション)CMOSトランシーバについて報告し,0.13μm CMOS技術で製作した。連続時間デルタシグマA/Dコンバータ(CT ΔΣ ADCs)をRXフロントエンドに直接結合し,低消費電力を達成した。適切な利得配置と新しいキャリア漏れキャリブレーションにより,TX部は86dB利得範囲で少なくとも-40dBcのキャリア漏れ抑制を確実にした。筆者等の知る限り,これは完全集積市販TD-LTEトランシーバに関する最初の研究報告である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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移動通信  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (5件):
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