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J-GLOBAL ID:201502239625965243   整理番号:15A0513574

狭いバンドギャップ重合体を含むアルコキシルベンズイミダゾールの合成と光起電力特性

Synthesis and photovoltaic properties of alkoxy-benzimidazole containing low band gap polymers
著者 (9件):
資料名:
巻: 580  ページ: 29-35  発行年: 2015年04月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ジメチル-2H-ベンズイミダゾール(4,7-ジブロモ,5,6-ヂオクチロキシ-2,2-ジメチル-2H-インジン,DOMBI)を作成し,Stille及びSuzuki重合法を用いて,チオフェン(又はバイチオフェン)及びカルバゾールと共重合した。DOMBIにおいて,2,1,3ベンゾチアジアゾール(BT)ユニットの2位置の硫黄を,ジアルキル置換した炭素で置き換え,ジオクチロキシ族をジメチル-2H-ベンズイミダゾール(MBI)の5,6位置に導入した。DOMBIユニットは依然として,BTの硫黄を置き換える炭素上のアルキル族を有する1,2-キノイド型を保っている。これに加えて,5,6位置のジオクチロキシ族が長波長域で吸収を増加させた。ポリ(2,2-ジメチル-5,6ビス(オクチロキシ)-4-(2-チエニル)-2H-ベンズイニダゾール)薄膜は,357nm及び656nmにピークを有し,775nmに始まる吸収帯を示し,対応するバンドギャップは1.6eVとなった。[6,6]フェニル-C71-ブチリク酸メチルエステルを有するPTDOMBIを用いたデバイスは,電力変換効率0.76%を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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光伝導,光起電力  ,  共重合 
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