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J-GLOBAL ID：201502239806677304   整理番号：15A0298492

ワイドバンドギャップパワー半導体デバイスのモデリング-パートI

Modeling of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices-Part I

著者 (4件)： MANTOOTH Homer Alan (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  PENG Kang (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  SANTI Enrico (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  HUDGINS Jerry L. (Univ. Nebraska-Lincoln, NE, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 423-433  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップパワーデバイスはシリコンデバイスに代わって高周波高温の領域で使われているが,材料欠陥がデバイス挙動を支配しているので,実際の特性をモデル化する時にはこのことを十分に考慮する必要がある。回路やシステム性能に与える影響を解析評価するために,ワイドバンドギャップパワーデバイスのコンパクトモデルが必要である。使用可能なモデル,すなわち回路レベルシミュレーションに使えるモデルをレビューした。特に本稿ではシリコンカーバイドパワーダイオードとMOSFETのコンパクトモデルについてレビューをしている。

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *モデリング ,  半導体素子 ,  *パワーエレクトロニクス ,  電力トランジスタ ,  炭化ケイ素 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  レビュー ,  ダイオード ,  MOSFET
準シソーラス用語： GaN ,  SiC ,  コンパクトモデル ,  パワーデバイス ,  パワー半導体 ,  ワイドバンドギャップ ,  *ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドバンドギャップ ,  パワー半導体 ,  モデリング ,  パート