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J-GLOBAL ID：201502240039206579   整理番号：15A0704994

モノリシック・シリコン・フォトダイオードによる波長2マイクロメートルにおける高速検出

High-speed detection at two micrometres with monolithic silicon photodiodes

著者 (8件)： ACKERT Jason J. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  KNIGHTS Andrew P. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  THOMSON David J. (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  SHEN Li (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  PEACOCK Anna C. (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  REED Graham T. (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  MASHANOVICH Goran Z. (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  JESSOP Paul E. (Wilfrid Laurier Univ., Ontario, CAN)
資料名： Nature Photonics  (Nature Photonics)
巻： 9  号： 6  ページ： 393-396  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： W2212A  ISSN： 1749-4885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ネットワークで伝送されるデータ量が急激に増加し続けていることから,「容量危機」を未然に防ぐために,より高度なフォトニクス技術が必要であることが広く認識されている。有望な解決策は,波長2μm付近の新しいスペクトル領域を開拓し,中空コアフォトニックバンドギャップファイバーの長波長伝送・増幅能や,最近利用できるようになったツリウムドープファイバー増幅器を活用することである。これまで,このスペクトル領域用の光検出器デバイスの大半は,III-V族材料か,シリコンフォトニクスとの集積化の利点が求められる場合にはGeSn合金に頼っていたが,限られた有用性しか実証されていない。今回我々は,この波長領域で20Gbit s^-1で動作するシリコン・フォトダイオードについて報告する。この検出器は,標準的なシリコン加工に適合性があり,シリコン・オン・インシュレーター(SOI)導波路と直接集積化される。従って,通信に応用するためのシリコンを用いた中赤外集積光学デバイスにおいて将来有用になると示唆される。Copyright Nature Publishing Group 2015

シソーラス用語： フォトニックバンドギャップ ,  オプトエレクトロニクス ,  CMOS構造 ,  *フォトダイオード ,  光増幅器 ,  光ファイバ ,  通信網 ,  絶縁材料 ,  光学素子 ,  スペクトル解析 ,  *ケイ素 ,  集積 ,  *赤外検出器 ,  波長依存性 ,  高速度 ,  *光検出 ,  半導体プロセス ,  半導体接合 ,  光導波路 ,  絶縁体
準シソーラス用語： SOI ,  シリコンオンインシュレータ ,  シリコンフォトニクス ,  ファイバ増幅器 ,  モノリシック集積 ,  光ネットワーク

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  フォトダイオード ,  波長