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J-GLOBAL ID：201502240065519976   整理番号：15A0498168

金属-半導体界面における電子-フォノン結合と熱コンダクタンス 第一原理計算

Electron-phonon coupling and thermal conductance at a metal-semiconductor interface: First-principles analysis

著者 (3件)： SADASIVAM Sridhar (Dep. of Mechanical Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  WAGHMARE Umesh V. (Theoretical Sciences Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur, Bangalore 560064, IND) ,  FISHER Timothy S. (Dep. of Mechanical Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 13  ページ： 134502-134502-10  発行年： 2015年04月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *界面 ,  *電子-フォノン相互作用 ,  *コンダクタンス ,  計算 ,  ケイ化物 ,  チタン化合物 ,  Schottky障壁 ,  相互作用 ,  ケイ素 ,  密度汎関数法 ,  Eliashbergの式 ,  輸送現象 ,  分散関係 ,  第一原理 ,  熱伝達
準シソーラス用語： ケイ化チタン ,  フォノン-フォノン相互作用 ,  *金属-半導体界面 ,  第一原理計算 ,  電子-フォノン結合 ,  *熱コンダクタンス ,  熱輸送

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  金属の比熱・熱伝導  (BL05022V) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属-半導体界面 ,  電子-フォノン結合 ,  熱コンダクタンス ,  第一原理計算