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J-GLOBAL ID：201502240697847073   整理番号：15A0484752

遷移金属をドープしたBa(Zn_1/3Ta_2/3)O₃とBa(Zn_1/3Nb_2/3)O₃の極低温でのマイクロ波損失の主な原因

Main Source of Microwave Loss in Transition-Metal-Doped Ba(Zn_1/3Ta_2/3)O₃ and Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃ at Cryogenic Temperatures

著者 (3件)： ZHANG Shengke (Materials Program, Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 85287-6106) ,  DEVONPORT Alex ,  NEWMAN Nathan
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 98  号： 4  ページ： 1188-1194  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 商業メーカーが一般的に用いる添加物(即ちCo,Mn及びNi)を含む高性能マイクロ波セラミックスBa(Zn_1/3Ta_2/3)O₃(BZT)とBa(Zn_1/3Nb_2/3)O₃(BZN)についてマイクロ波共振器測定を行った。環境磁場中であっても損失正接は極低温での遷移金属クラスター中で交換結合した3d電子による電子常磁性共鳴(EPR)吸収が支配的であることを明らかにした。L=3のCo²⁺とNi²⁺の大きな軌道角運動量が強い異方性の拡がった双極子相互作用の原因となり,EPR損失をゼロ印可場へ拡張した。この効果はCo濃度が0.5モル%以上のBZNで最大となり,液体窒素温度(77K)以下で損失を支配した。L=0のMn²⁺イオンを含む試料では,環境場中での双極子相互作用と関連するEPR損失はより小さかった。EPR損失(tanδ)と磁気反応性応答(μ_r)の磁場依存性変化は同様の機構によるものであり,クラマース-クローニッヒの関係に従う。最後に,これらの材料は外部から制御された伝達関数を用いて非常に高いQ受動マイクロ波デバイスを作ることができ,Ba(Co_1/15Zn_4/15Nb_2/3)O₃組成の77Kでの品質係数Qは10GHzで実用的な磁場を印加することにより1100から12000へ調節できる。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *タンタル酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  ドーピング ,  極低温 ,  *遷移金属 ,  *マイクロ波 ,  *損失正接 ,  双極子相互作用 ,  誘電率 ,  透磁率 ,  損失
準シソーラス用語： tanδ ,  *タンタル酸亜鉛酸バリウム ,  *ニオブ酸亜鉛酸バリウム

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 遷移金属 ,  ドープ ,  Ba ,  O3 ,  極低温 ,  マイクロ波 ,  損失 ,  原因