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J-GLOBAL ID：201502241048591449   整理番号：15A0431670

フラッシュメモリデバイスの性能を上げる電荷ストレージ中心としての階層構造をした金ナノ粒子スーパークラスタアレイ

Hierarchically Built Gold Nanoparticle Supercluster Arrays as Charge Storage Centers for Enhancing the Performance of Flash Memory Devices

著者 (8件)： SURESH Vignesh (National Univ. Singapore, Singapore) ,  SURESH Vignesh (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), Singapore) ,  KUSUMA Damar Yoga (National Univ. Singapore, Singapore) ,  LEE Pooi See (National Univ. Singapore, Singapore) ,  YAP Fung Ling (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), Singapore) ,  SRINIVASAN M. P. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  KRISHNAMOORTHY Sivashankar (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), Singapore) ,  KRISHNAMOORTHY Sivashankar (Luxembourg Inst. of Sci. and Technol. (LIST), Belvaux, LUX)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 1  ページ： 279-286  発行年： 2015年01月14日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶フラッシュメモリに応用するため,大規模な階層花形金スーパークラスタアレイを作製する方法を開発した。粒子密度を増殖するため,ブロック共重合体に基づく階層自己集合に駆動してレイヤーバイレイヤーに金ナノ粒子を静電自己集合する。その結果,試験構造の電荷蓄積が増大し,より長い保持特性が得られた。3層の階層系が得られた。この階層ナノパターンの容量-電圧測定を金属-絶縁体-半導体-キャパシタ配置で行い,非階層的なナノ粒子制御の場合と比べて,メモリ窓が増大することを明らかにした。容量-時間測定の結果から,10年へ外挿すると,半分以上の蓄積電荷が保たれることを示した。

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  *フラッシュメモリ ,  ブロック共重合体 ,  自己集合 ,  薄膜成長 ,  保持 ,  容量電圧特性 ,  帯電 ,  階層構造
準シソーラス用語： データ保持 ,  layer-by-layer成長 ,  *金ナノ粒子 ,  *静電自己集合 ,  *電荷蓄積

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： フラッシュメモリデバイス ,  電荷 ,  ストレージ ,  階層構造 ,  金ナノ粒子