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J-GLOBAL ID：201502241246987595   整理番号：15A0498091

室温および高温における秩序-無秩序AlGaInP量子井戸の改善された光ルミネセンス特性

Improved photoluminescence characteristics of order-disorder AlGaInP quantum wells at room and elevated temperatures

著者 (3件)： MUKHERJEE Kunal (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  DEOTARE Parag B. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  FITZGERALD Eugene A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 14  ページ： 142109-142109-5  発行年： 2015年04月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 温度依存性 ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *リン化物 ,  化合物半導体 ,  格子歪 ,  性質 ,  ヘテロ接合 ,  光ルミネセンス ,  ポテンシャル障壁 ,  閉込め ,  濃度依存性 ,  量子井戸
準シソーラス用語： キャリア閉込め ,  *リン化アルミニウムガリウムインジウム ,  不規則性

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  無秩序 ,  AlGaInP ,  量子井戸 ,  光ルミネセンス