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J-GLOBAL ID:201502241386779399   整理番号:15A0735196

金ナノロッド修飾酸化グラフェンの改善された表面増強ラマン散乱 電子遷移に及ぼすCTABの効果

Improve the surface enhanced Raman scattering of gold nanorods decorated graphene oxide: The effect of CTAB on the electronic transition
著者 (4件):
資料名:
巻: 347  ページ: 856-860  発行年: 2015年08月30日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Raman活性プローブとしてローダミン6G(R6G)を用いて,酸化グラフェン(GO)とAuナノロッド(AuNR)複合体(GO-AuNR)の表面増強Raman散乱(SERS)活性について調べた。GO-AuNR基板にCTABが存在するために,電子遷移効率は大幅に増大し,それがSERS活性のかなりの改善をもたらした。また,縦表面プラズモン共鳴(SPR)波長を関数とするSERSの非単調な強度変化も見出されたが,これはSPRと避雷針効果との間のアスペクト比に依存する競合に起因した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  ,  炭素とその化合物  ,  固体プラズマ 

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