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J-GLOBAL ID：201502241443414386   整理番号：15A0670619

還元グラフェンオキシド-ZnO自己組織化膜 ZnOの固有欠陥状態による可視光伝導度の制御

Reduced graphene oxide-ZnO self-assembled films: tailoring the visible light photoconductivity by the intrinsic defect states in ZnO

著者 (3件)： KAVITHA M. K. (Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Space Sci. and Technol., Valiamala, Thiruvananthapuram-695547, Kerala, India. ...) ,  GOPINATH Pramod ,  JOHN Honey
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 22  ページ： 14647-14655  発行年： 2015年06月14日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛はワイドバンドギャップ半導体である;その吸収は固有欠陥レベルの調節により可視スペクトル領域に調節できる。グラフェンとZnOの組合せはZnOの光誘起電荷分離およびグラフェン経由の電子輸送により性能を向上させる。水熱合成により還元グラフェンオキシド-ZnO製造した場合,光物理研究は酸素空孔欠陥状態が還元におけるGOからZnOへの酸素拡散により修復されることを示した。酸素空孔の不働態化により複合材料の可視光伝導度は純粋のZnOni比べて低下した。光電流低下の対策としてZnOと還元グラフェンオキシドの交互積層(LBL)自己組織化により光電極を作製した。負電荷をもつポリ(4-スチレンスルホン酸ナトリウム)-還元グラフェンオキシド(PSS-rGO)と正電荷をもつポリアクリルアミド-ZnO(PAM-ZnO)を構築単位として静電LBL自己組織化法により多層膜を構築した。本法で得られた多層膜は高度に相互侵入し,電極面に垂直なZnOとrGO間相互作用を増強するであろう。バイアス電圧印加光照射によりZnOに欠陥誘起励起が生じ,光発生電荷キャリアがグラフェンに移動し得る。グラフェンシートに移動した電子は二種の方法,即ちその二重層,または次の二重層中のZnOの価電子バンド中の正孔と再結合する。このタイプのグラフェンから続く二重層へ電子トンネリングにより効率的な電荷移動が生じる。この電子移動および伝播は二重層数の増大により増強され,多層膜の光電流が改善される。従って,この自己組織化法は導電性に優れた半導体-グラフェン膜の有効な構築法である。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *多層膜 ,  *複合膜 ,  光伝導 ,  空格子点 ,  *光電極 ,  自己組織化 ,  ポリアクリルアミド ,  NaPSS ,  静電相互作用 ,  電流 ,  電荷移動 ,  光電流 ,  導電性
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  ポリスチレンスルホン酸ナトリウム ,  *還元グラフェンオキシド ,  *交互積層膜 ,  光伝導度 ,  酸素空孔

分類 (4件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 還元 ,  グラフェンオキシド ,  ZnO ,  自己組織化膜 ,  固有 ,  欠陥状態 ,  可視光 ,  伝導度