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J-GLOBAL ID：201502241516486607   整理番号：15A0249147

酸化タングステン薄膜の合成,構想特性組成特性,形態特性および光電子特性

Synthesis, structural, compositional, morphological and optoelectronic properties of tungsten oxide thin films

著者 (6件)： KULKARNI S. B. (Solapur Univ., Functional Materials Res. Lab., School of Physical Sciences, 413255, Solapur, MS, IND) ,  MANE A. T. (Solapur Univ., Functional Materials Res. Lab., School of Physical Sciences, 413255, Solapur, MS, IND) ,  NAVALE S. T. (Solapur Univ., Functional Materials Res. Lab., School of Physical Sciences, 413255, Solapur, MS, IND) ,  KULKARNI P. S. (Solapur Univ., Functional Materials Res. Lab., School of Physical Sciences, 413255, Solapur, MS, IND) ,  MULIK R. N. (Solapur Univ., Functional Materials Res. Lab., School of Physical Sciences, 413255, Solapur, MS, IND) ,  PATIL V. B. (Solapur Univ., Functional Materials Res. Lab., School of Physical Sciences, 413255, Solapur, MS, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 2  ページ： 1087-1096  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コストゾル-ゲルドロップキャスト法を使用してナノ結晶酸化タングステン(WO₃)薄膜の作製に成功した。その構造,形態,電気伝導度,熱電能およびバンドギャップに及ぼす処理温度の影響を,X線回折(XRD),X線光電子分光法(XPS),電界放出走査電子顕微鏡観察(FESEM),透過電子顕微鏡観察(TEM),原子間力顕微鏡観察(AFM),2プローブ法およびUV-可視分光法を用いて調べた。WO₃膜は斜方晶相で結晶化され,配向が不規則であることがXRD分析で分かった。XPSによりWO₃の形成を確認した。酸化タングステン膜の表面形態はナノ結晶粒から成り,基板表面に均一に被覆されていることをFESEMにより明らかにした。WO₃膜のTEMによりナノ結晶の直径は60~80nmの範囲であることが分かった。WO₃膜の表面形態は平滑でないことがAFM分析により分かった。DC電気伝導度は半導体特性を示し,処理温度が400°Cから700°Cに上昇するにつれて室温電気伝導度は7.264×10^-8(Ωcm)^-1から1.606×10^-7(Ωcm)^-1に増加する。熱電能測定によりn型伝導を確認した。WO₃膜のバンドギャップエネルギーは,処理温度が400°Cから700°Cに上昇するにつれて3.264eVから2.531eVに低減した。Copyright 2014 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  *酸化タングステン ,  *ゾル-ゲル法 ,  *ナノ結晶 ,  *半導体薄膜 ,  *電気伝導率 ,  *熱起電力 ,  バンドギャップ ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  スペクトロスコピー ,  斜方晶系 ,  結晶化 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  結晶粒 ,  室温 ,  N型半導体 ,  *赤外吸収スペクトル
準シソーラス用語： FE-SEM ,  紫外可視分光法 ,  表面形態 ,  FTIRスペクトル

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化タングステン ,  薄膜 ,  構想 ,  組成 ,  形態特性 ,  光電子