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J-GLOBAL ID:201502241618076101   整理番号:15A0735769

2ZnO・3B2O3ドープZnAl2O4低誘電率セラミックの合成及びマイクロ波誘電特性

Synthesis and microwave dielectric properties of 2ZnO3B2O3-doped ZnAl2O4 low-permittivity ceramics
著者 (4件):
資料名:
巻: 644  ページ: 242-248  発行年: 2015年09月25日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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2ZnO・3B2O3-ドーピングZnAl2O4セラミックを固相法で合成した。微細構造,焼結挙動,マイクロ波誘電特性に及ぼす異なる2ZnO・3B2O3ドーピングの影響を調査した。結果はホウ酸亜鉛が効果的に緻密化を改良でき,焼結温度範囲を拡張できることを示した。2ZnO・3B2O3-ドーピングZnAl2O4セラミックのマイクロ波誘電特性を以下のように提示した:εr=8.32,Qxf=93600GHz(14.0GHzに於いて),τf=-68.5ppm/°C。スピネル型結晶ホウ酸亜鉛-ドーピングZnAl2O4セラミックは,比較的低い焼結温度,幅広い温度範囲(約100°C),同時に高いQxfと安定したτf値を有していた。これら卓越した性能は,このセラッミクを高周波数に於けるミリメータ波装置向けの有望な候補材料としている。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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セラミック・磁器の性質 
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