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J-GLOBAL ID：201502241695861059   整理番号：15A0510234

実用化へ加速!SiC半導体と周辺技術開発の最新動向 解説2 パワーモジュール用セラミック基板技術

著者 (1件)： 平尾喜代司 (産業技術総合研)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 63  号： 5  ページ： 29-34  発行年： 2015年05月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高出力パワーモジュール用の高熱伝導性セラミックに金属導体層を直接接合したメタライズ放熱基板に求められる性能とその開発動向を概説した。SiC素子を用いたパワーモジュールは,温度サイクルの幅が-40~250°Cと大きくなるためセラミック基板と金属層に応力が作用する。そのため回路基板には高い絶縁性,放熱性,耐熱性とともに優れた機械特性が要求される。セラミック基板として,窒化反応・ポスト焼結手法による窒化ケイ素の高熱伝導化を図り,メタライズ放熱基板へ展開した検討内容を述べた。またセラミック薄板基板の破壊靭性等の機械的特性評価の標準化,および配線を内蔵したセラミック多層回路基板の開発について述べた。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  炭化ケイ素 ,  *回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  *基板 ,  メタライゼーション ,  耐熱性 ,  熱放射 ,  熱特性 ,  破壊靱性 ,  多層配線 ,  熱サイクル ,  セラミック ,  熱伝導
準シソーラス用語： *セラミック基板 ,  パワーデバイス ,  パワーモジュール ,  炭化ケイ素素子 ,  低温焼成積層セラミック基板 ,  熱伝導性

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 実用化 ,  加速 ,  周辺技術 ,  開発 ,  最新動向 ,  パワーモジュール ,  セラミック基板