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J-GLOBAL ID：201502242119323366   整理番号：15A0636550

トポロジカル絶縁体表面における分子自己組織化ネットワークのシステマティックス

Systematics of Molecular Self-Assembled Networks at Topological Insulators Surfaces

著者 (7件)： BATHON T. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  SESSI P. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  KOKH K.A. (V.S. Sobolev Inst. Geology and Mineralogy, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  KOKH K.A. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  TERESHCHENKO O.E. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  TERESHCHENKO O.E. (A.V. Rzanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  BODE M. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 4  ページ： 2442-2447  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃表面の遷移金属(Mn,Co,Cu)フタロシアニン錯体による修飾を走査型トンネル顕微鏡により検討した。いずれの錯体も中心金属がTe上に配位吸着した。MnPcは吸着により4回対称から2回対称に変化し,電荷移動によりMnPcは正に帯電して強い相互作用を示すのに対し,CoPcおよびCuPcは4回対称性を維持し,CoPc吸着ではテルル化ビスマス,CoPcのいずれにも電子構造変化は見られなかった。トポロジカル絶縁体の素子作製においてよく規定された表面が容易に得られ,電子構造調節が容易に行えることを強調した。

シソーラス用語： テルル化物 ,  ビスマス化合物 ,  *絶縁材料 ,  *表面改質 ,  *吸着 ,  *フタロシアニン錯体 ,  マンガン錯体 ,  コバルト錯体 ,  銅錯体 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  電荷移動 ,  電子構造 ,  自己組織化 ,  ネットワーク構造 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： テルル化ビスマス ,  *表面修飾

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  遷移金属錯体一般  (CE01040N)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  分子 ,  自己組織化