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J-GLOBAL ID：201502242234492201   整理番号：15A0227045

工作物表面に結晶学的損傷の導入によるプラズマ化学気化加工のエッチング選択に関する基礎的研究

Basic Study on Etching Selectivity of Plasma Chemical Vaporization Machining by Introducing Crystallographic Damage into Work Surface

著者 (9件)： SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  DOI Toshiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUROKAWA Syuhei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AIDA Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNISHI Osamu (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  UNEDA Michio (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  OKADA Yuu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIKAWA Hiroaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Kazuto (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 625  ページ： 550-553  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ化学的気化加工(PCVM)は,大気圧プラズマを用いた高速のプラズマエッチング方法である。そのためガス分子の小さい平均自由行程に起因する小さなイオンエネルギーのため,加工表面に変質層を残さないが,それは,その等方性エッチングの平坦化には適していません。したがって,PCVMと機械加工プロセスの組み合わせを提案した。基板表面の凸部は,機械加工によって影響されると考えられ,PCVMによって優先的に除去される。この報告書では,CMP処理と機械的研摩SiC基板の変質層のエッチング速度が大きくなるかどうかを調査した。その結果,エッチング速度が,断面透過型電子顕微鏡で観察された激しく損傷を受けた層の厚さに対応する機械研磨基板の最初の100nmの深さで,増加することが判明した。

シソーラス用語： 化学機械研磨 ,  透過型電子顕微鏡 ,  プラズマエッチング ,  大気プラズマ ,  *炭化ケイ素 ,  エッチング ,  化学反応 ,  プラズマ加工
準シソーラス用語： CMP【化学研磨】 ,  PCVM ,  TEM【顕微鏡】 ,  大気圧プラズマ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 工作物 ,  結晶学 ,  損傷 ,  プラズマ化学 ,  気化 ,  エッチング ,  基礎的研究