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J-GLOBAL ID：201502242268079656   整理番号：14A1243635

温度による変化する共鳴トンネルダイオードのI-V特性モデルの確立【Powered by NICT】

The Establishment of the I-V Characteristics Model of Resonant Tunneling Diode Varying with the Temperature

著者 (6件)： Zhang Lili (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Zhang Shilin (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Guo Weilian (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Mao Luhong (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Wang Yidian (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Guan Kun (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 33  号： 6  ページ： 522-527  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,Matlabソフトウェアを用いて,300Kでそのモデルに導くことによって300KでRTDのI-V特性のデータに適合させるために物理学に基づくRTD I-V方程式のモデルを採用して最初に次に,これに基づいて,150Kから350Kまでの温度範囲でRTDのI-V特性データの適合パラメータを求め,最後に,温度と共に変化するRTDのI-V特性のモデルは適合パラメータと温度の間の関係を解析することにより確立された最初である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 共鳴トンネルダイオード ,  I-V特性 ,  モデル