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J-GLOBAL ID:201502242306721723   整理番号:15A0533147

ZnSにおける光Seebeck効果

Photo-Seebeck effect in ZnS
著者 (4件):
資料名:
巻: 54  号:ページ: 031203.1-031203.4  発行年: 2015年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光励起されたキャリアの熱電輸送特性を調べるために,室温近傍で広ギャップ半導体ZnSで紫外線照射下で電気伝導率とSeebeck係数を測定した。伝導率は僅かに温度に依存して光子束密度に対しては直線的に増大し,このことは照射下の伝導率は主として光ドープキャリアによって支配されることを示している。温度に鈍感な光伝導とは極めて対照的に,Seebeck係数の温度依存性は照射によって劇的に変化し,それは一つの多数キャリアに対する単純なフォトドーピング効果からは説明できないことを見出した。このような輸送の量の著しい差異は二キャリアモデルの範囲内で理解され,其処ではSeebeck効果だけが光励起少数キャリアによって強く影響される。此処で得た結果は,フォトHall実験の初期の報告との比較もして,基礎にあるフォト輸送のメカニズムを論じる。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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半導体結晶の電気伝導  ,  光伝導,光起電力 
タイトルに関連する用語 (2件):
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