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J-GLOBAL ID：201502242459661231   整理番号：15A0429244

エピタキシャルなナノ粒子の下の基板の歪み駆動マウンド形成

Strain-Driven Mound Formation of Substrate under Epitaxial Nanoparticles

著者 (7件)： GUPTA Tanya (T. J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  HANNON James B. (T. J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  TERSOFF J. (T. J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  TROMP Rudolf M. (T. J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  OTT John A. (T. J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  BRULEY John (T. J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  STEINGART Daniel A. (T. J. Watson Res. Center, New York, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 1  ページ： 34-38  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 清浄で平坦なSi(001)面を低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)により観察し,エチレンのCVDを900°Cで行った。炭化ケイ素(SiC)ナノ粒子の核生成後,CVDを停止し,行った逐次的その場LEEM観察によれば,多量のSiの移動とともにSiCナノ粒子の直下に結晶Siマウンドが形成され,その高さは最初の表面から4~5nm上昇し,マウンドの体積はナノ粒子の5~7倍であった。堆積する化学種が基板のそれと異なるとき,堆積化学種の基板上の移動による表面再構成がヘテロ界面に存在する歪を緩和する主要な機構とされてきたが,この結果はヘテロ界面歪の緩和に,基板の劇的な再構成が関わる場合があること示している。

シソーラス用語： *界面 ,  *ヘテロ接合 ,  ナノ粒子 ,  炭化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *歪 ,  化学蒸着 ,  *表面再構成 ,  *マイグレーション【化学物質】 ,  アルケン
準シソーラス用語： LEEM

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (1件)： エチレン

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  ナノ粒子 ,  歪み