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J-GLOBAL ID：201502242471532668   整理番号：15A0294474

酸素空孔により影響された垂直配列Cu₂O_1-δ(111)ナノ構造からの高効率電界放射

Efficient Field Emission from Vertically Aligned Cu₂O_1-δ(111) Nanostructure Influenced by Oxygen Vacancy

著者 (8件)： NANDY Suman (CENIMAT/I3N, Departmento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de ...) ,  THAPA Ranjit ,  KUMAR Mohit ,  SOM Tapobrata ,  BUNDALESKI Nenad ,  TEODORO Orlando M. N. D. ,  MARTINS Rodrigo ,  FORTUNATO Elvira
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 25  号： 6  ページ： 947-956  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここで述べた構造において,斜め堆積法による堆積条件の調整によって,高く(111)面配向した酸化第一銅(Cu₂O)ナノ構造を作製した。制御された雰囲気中で酸素空孔がCu₂O結晶中に導入され,その後不純物エネルギー状態(E_im)を伝導帯近くに生成した。密度汎関数理論を用いたCu₂O電子構造モデルは,Cu原子(空孔サイトの再隣接)の非共有d-電子のために酸素空孔が電子供与能力を促進し,バルクと比較して仕事関数エネルギーレベルを約0.28eVにピン止めさせることを提案した。この結果は,ケルビンプローブフォース顕微鏡分析とX線光電子分光法により補足された。Cu₂O(Cu₂O_1-δ)中の酸素空孔は,異なる印加電場において興味深い電場電子トンネル挙動を伴う有望な電界放射特性を示した。膜は,酸素空孔に影響された,0.8および2.4Vμm^-1のそれぞれ極めて低いターンオンおよび臨界電圧を示した。ここでは,酸素空孔による仕事関数変化とCu₂O_1-δナノ構造の電界放射増強間の相関を明らかにした。本研究は,低電力電界放射デバイスとしてのCu₂Oに対する有望な新たなビジョンを明らかにした。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電界放出 ,  エレクトロセラミック ,  *酸化銅 ,  結晶面 ,  ナノ構造 ,  空格子点 ,  蒸着膜 ,  電子構造 ,  計算化学 ,  密度汎関数法 ,  トンネル効果 ,  仕事関数 ,  性能評価

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸素空孔 ,  垂直配列 ,  ナノ構造 ,  高効率