Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>太陽電池の性能に対する共スパッタリングされたZn(O,S)バッファ層の化学組成の効果

BUFFIERE M.; HAREL S.; GUILLOT-DEUDON C.; ARZEL L.; BARREAU N.; KESSLER J.

文献

J-GLOBAL ID：201502242684927860 整理番号：15A0294501

Cu(In,Ga)Se₂太陽電池の性能に対する共スパッタリングされたZn(O,S)バッファ層の化学組成の効果

Effect of the chemical composition of co-sputtered Zn(O,S) buffer layers on Cu(In,Ga)Se₂ solar cell performance

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資料名：
巻： 212 号： 2 ページ： 282-290 発行年： 2015年02月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

高効率のCu(In,Ga)Se₂(CIGSe)から成る太陽電池は,一般的に化学浴堆積法(CBD)によって形成されるCdSのバッファー層を必要とする。しかし,インライン真空下の製造方法とこのプロセスの不適合性が課題である。本稿では,共焦点配置のZnOとZnSターゲットのRF共スパッタリングによって合成したZnO_1-xS_x薄膜のCIGSe太陽電池におけるバッファ層としての役割を研究した。ZnOとZnSターゲットに印加するパワーを制御することによって,硫黄の含有量xを簡単に調整できることが判明した。x線光電子分光法と光学的分析法を組み合わせて,硫黄含有量の関数として,Zn(O,S)化合物のバンド構造を測定し,本稿に記述した傾向を持つことが分かった。スパッタリング法で形成した硫黄の含有量の異なるZn(O,S)バッファー層を使ったCIGSe太陽電池を製作した。SCAPSによる数値シミュレーションから,xの関数として求めた太陽電池の電気的パラメータの変化は,CIGSe/ZnO_1-xS_x界面における伝導帯オフセット(CBO)の変化に起因することが明らかになった。しかし,2つの材料の間のバンド配置を最適化しても,比較的低いV_oc値が得られることが分かった。これは,バッファーと窓層の界面における欠陥によって支援された界面再結合に起因すると思われる。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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太陽電池

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Cu(In,Ga)Se2太陽電池の性能に対する共スパッタリングされたZn(O,S)バッファ層の化学組成の効果

Cu(In,Ga)Se₂太陽電池の性能に対する共スパッタリングされたZn(O,S)バッファ層の化学組成の効果