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J-GLOBAL ID：201502242885464478   整理番号：15A0662607

高性能電界放出素子のための超鋭チップを有するGa₂O₃ナノロッドの合成

Synthesis of Ga₂O₃ Nanorods with Ultra-Sharp Tips for High-Performance Field Emission Devices

著者 (12件)： BAYAM Yavuz (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  BAYAM Yavuz (Gediz Univ., Izmir, TUR) ,  LOGEESWARAN V.J. (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  KATZENMEYER Aaron M. (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  SADEGHIAN Ramin Banan (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  CHACON Rebecca J. (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  WONG Michael C. (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  HUNT Charles E. (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  MOTOMIYA Kenichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  JEYADEVAN Balachandran (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  JEYADEVAN Balachandran (Univ. Shiga Prefecture, Shiga, JPN) ,  ISLAM M.Saif (Univ. California at Davis, CA, USA)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 7  号： 2  ページ： 211-218  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単な熱CVD技術により,超鋭チップをもつβ-Ga₂O₃ナノカラムを合成した。この成長過程において,Ga源は,GaAs基板からきた。ナノカラムは,合体した金属Ga液滴の熱酸化により形成された。液滴の消費により,超鋭チップが形成した。構造の電界放出特性を研究し,構造が,2.1Vμm^-1の低いターンオン場及び5.6Vμm^-1の低い閾値電場をもつ優れた特性を示すことが分かった。FN形式の修正バージョンを用いて,ナノ構造の場増強因子は,3786と推定された。

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *ナノロッド ,  *電界放出 ,  *電場効果 ,  *化学合成 ,  *端部 ,  化学蒸着 ,  熱処理 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  *電界放出アレイ ,  ナノ構造 ,  柱状晶 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  熱酸化
準シソーラス用語： 電場増強効果 ,  電場増強因子 ,  超鋭先端 ,  ナノコラム

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  電界放出素子 ,  Ga2O3 ,  ナノロッド