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J-GLOBAL ID：201502242965667221   整理番号：15A0484591

ナノSiCドープMgB₂の物理特性に及ぼす冷間静水圧プレスを用いた高圧の効果

Effects of High Pressure Using Cold Isostatic Press on the Physical Properties of Nano-SiC-Doped MgB₂

著者 (6件)： SHAH M. Shahabuddin (King Saud Univ., Riyadh, SAU) ,  SHAHABUDDIN Mohammad (King Saud Univ., Riyadh, SAU) ,  PARAKKANDY Jafar M. (King Saud Univ., Riyadh, SAU) ,  ALZAYED Nasser S. (King Saud Univ., Riyadh, SAU) ,  MADHAR Niyaz Ahmad (King Saud Univ., Riyadh, SAU) ,  BATOO Khalid Mujasam (King Saud Univ., Riyadh, SAU)
資料名： Journal of Superconductivity and Novel Magnetism  (Journal of Superconductivity and Novel Magnetism)
巻： 28  号： 2  ページ： 481-485  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W0180A  ISSN： 1557-1939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *超伝導体 ,  ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  ドーピング ,  ナノ粒子 ,  炭化ケイ素 ,  添加物効果 ,  冷間圧延 ,  X線回折 ,  格子定数 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  *臨界電流密度 ,  圧力効果 ,  温度依存性 ,  磁場効果
準シソーラス用語： ホウ化マグネシウム

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  ドープ ,  MgB2 ,  物理特性 ,  静水圧 ,  プレス ,  高圧