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J-GLOBAL ID：201502243035232418   整理番号：15A0520827

【撤回論文】マルチフェロイックBiMnO₃ナノワイヤアレイの光制御抵抗スイッチングメモリ

[RETRACTED]Light-controlled resistive switching memory of multiferroic BiMnO₃ nanowire arrays

著者 (2件)： SUN Bai (Inst. for Clean Energy & Advanced Materials (ICEAM), Southwest Univ., Chongqing 400715, China. [e-mail]) ,  LI Chang Ming
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 10  ページ： 6718-6721  発行年： 2015年03月14日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 【撤回論文】A0271C「Physical Chemistry Chemical Physics」19巻16号に撤回記事掲載。---マルチフェロイックBiMnO₃ナノワイヤアレイを,水熱法を用いて作製し,その抵抗スイッチングメモリ挙動をさらに調査した。顕著な強誘電性は,白色光照射によりうまく制御されて,したがって,Ag/BiMnO₃/Ti の構造を用いた室温での優れた光制御抵抗スイッチングメモリデバイスを提供した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 材料 ,  ビスマス化合物 ,  マンガン酸塩 ,  抵抗 ,  ナノ構造 ,  細線 ,  *スイッチング ,  銀 ,  チタン ,  水熱合成 ,  強誘電性 ,  光照射 ,  白色光 ,  記憶装置
準シソーラス用語： ナノワイヤアレイ ,  *マルチフェロイック材料 ,  *メモリデバイス ,  水熱法

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： マルチフェロイック ,  ナノワイヤアレイ ,  光制御 ,  抵抗スイッチングメモリ