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J-GLOBAL ID：201502243285017130   整理番号：15A0758840

無損傷で位置選択的なドーピングのための単層カーボンナノチューブへのエネルギー選択的Cs閉じ込めの反応論

Kinetics of Energy Selective Cs Encapsulation in Single-Walled Carbon Nanotubes for Damage-Free and Position-Selective Doping

著者 (6件)： KATO Toshiaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NEYTS Erik C. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  ABIKO Yoshihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AKAMA Toshiki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HATAKEYAMA Rikizo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KANEKO Toshiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 21  ページ： 11903-11908  発行年： 2015年05月28日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)は柔軟性エレクトロニクス素材として期待される。精確な位置選択性を保持しながらSWCNTsに損傷を与えないでCsを閉じ込める手法を開発した。Csイオンの照射エネルギーを20~60eVの幅に精確に調節する手法により,認めえる程の損傷を引き起こさずにSWNT側面の六角網目を通過してCsを効率よくSWNT内部に閉じ込めることができた。Csイオン閉じ込めの最少エネルギー閾値である約20eVという値は,CsイオンのSWNTsへの閉じ込めの反応論に対して行ったab initioシミュレーションで得られた値の約22eVとよく一致している。上述の位置選択的Cs閉じ込め手法により,優れた環境(空気,水,および~400°Cの温度)への安定性を備えたpn接合のSWNT薄膜を形成することができた。

シソーラス用語： *照射損傷 ,  *選択 ,  *ドーピング ,  イオン照射 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *セシウム ,  *閉込め ,  閾値 ,  分子動力学 ,  量子論 ,  PN接合 ,  安定性 ,  反応速度論
準シソーラス用語： ab initio分子動力学 ,  位置選択 ,  閾エネルギー

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 損傷 ,  位置選択 ,  ドーピング ,  単層カーボンナノチューブ ,  エネルギー ,  Cs ,  閉じ込め ,  反応論