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J-GLOBAL ID：201502243295513143   整理番号：15A0186710

ピーク出力100~120mWを持つ110~134GHzSiGe増幅器

A 110-134-GHz SiGe Amplifier With Peak Output Power of 100-120mW

著者 (2件)： LIN Hsin-Chang (Univ. California at San Diego(UCSD), CA, USA) ,  REBEIZ Gabriel M. (Univ. California at San Diego(UCSD), CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 62  号： 12,Pt.1  ページ： 2990-3000  発行年： 2014年12月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 110~134GHzで動作する全集積化8電力合成増幅器を90nmSiGe-HBT技術により開発した。入力端ではリアクティブ電力分配器を使い,出力端ではリアクティブ電力合成を用いた。3段リアクティブ合成器は8個の増幅器に対して120GHzにおいて損失は1-1.2dBでウイルキンソン電力合成器に比べ優れている。116GHzにおいて小信号利得20dBのシングルエンド4段コモン-エミッタ増幅器をユニットセルとして用いた。8電力合成増幅器は114~126GHzにおいて20~20.8dBmの出力を実現できた。また,平衡型PAは116~130GHzにおいて飽和出力16dBm以上で124GHzにおいてピーク値が17.5dBmであった。これらはこれまでの発表の中で最大の電力シリコンベースD帯増幅器である。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *半導体材料 ,  *EHF【周波数】 ,  HBT【トランジスタ】 ,  パワーデバイダ ,  集積回路
準シソーラス用語： *SiGe ,  電力分配器

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (1件)： 増幅器