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J-GLOBAL ID：201502243631634027   整理番号：15A0249108

ZnOの構造特性および電気特性に与えるTm₂O₃ドーピングの効果

Influence of Tm₂O₃ doping on structural and electrical properties of ZnO

著者 (1件)： COLAK Hakan (Cankiri Karatekin Univ., Dep. of Chemistry, Fac. of Sci., Cankiri, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 2  ページ： 784-790  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,固相法により1-10mol%の化学量論的範囲でTm₂O₃ドープZnO粉体系を合成した。ここで形成した試料をXRDで特性評価し,六方晶(ウルツ鉱)構造として指標となる単相試料をXRDデータを用いて決定した。ZnO格子中のTm₂O₃の限界溶解度は4mol%(1000°Cで加熱後)であると決定し,4もl%を超えると不純物相は立方晶Tm₂O₃であることが分かった。単相Tm₂O₃-ZnO二元系(1000°Cで合成)に対して,格子パラメータaおよびcはTm₂O₃と共に増加した。非ドープZnO試料および単相試料の電気伝導度を4プローブ法を用いて測定した。非ドープZnO試料および4mol%Tm₂O₃ドープZnO試料(1000°Cで合成)の電気伝導度値は100°Cでそれぞれ8.7×10^-7および3.1×10^-6Ω^-1cm^-1であり,1000°Cでそれぞれ0.03および3.39Ω^-1cm^-1であることが分かった。また,単相試料(1000°Cで合成)の活性化エネルギーも計算した。非ドープおよび全ドープZnO試料のUV/可視吸収スペクトルおよびPL発光スペクトルを測定した。Copyright 2014 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ツリウム ,  *ドーピング ,  *添加物効果 ,  *酸化亜鉛 ,  固相合成 ,  化学量論 ,  X線回折 ,  六方晶系 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  単相 ,  *立方晶系 ,  格子定数 ,  *電気伝導率 ,  *活性化エネルギー ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *発光スペクトル ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *構造解析 ,  太陽電池 ,  透明導電膜
準シソーラス用語： 表面形態

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  構造特性 ,  電気特性 ,  Tm2O3 ,  ドーピング