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J-GLOBAL ID：201502243644425222   整理番号：15A0586887

SiC-MOSFET用ゲート昇圧回路付低損失低ノイズゲートドライバ

Low Loss and Low Noise Gate Driver for SiC-MOSFET with Gate Boost Circuit

著者 (3件)： YAMAGUCHI Koji (IHI Corp., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Yuji (IHI Corp., Tokyo, JPN) ,  IMAKUBO Tomofumi (IHI Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society  (Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society)
巻： 40th Vol.2  ページ： 1594-1598  発行年： 2014年 
JST資料番号： H0475B  ISSN： 1553-572X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC-MOSFET用の極めて簡単でコスト効率の高いゲート昇圧回路付低損失低ノイズゲートドライバを開発した。スイッチング損失の低減とスイッチングノイズは通常トレードオフの関係にあるが,本ドライバの適用により,スイッチングノイズを増大させずにスイッチング損失の低減とスイッチング時間の短縮を達成できる。本昇圧回路付ゲートドライバの構成と動作原理を示し,SiCパワーモジュールBSM120D12P2C005に対して本ドライバと従来形ゲートドライバを適用した場合について,スイッチング損失とスイッチング時間の違いを実験的に比較した。本ドライバにより,スイッチング損失を約43%低減できることが判明した。

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  *ゲート回路 ,  *スイッチング損失 ,  電磁干渉 ,  雑音
準シソーラス用語： 昇圧回路 ,  スイッチングノイズ ,  スイッチング時間 ,  回路構成 ,  動作原理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  ゲート ,  昇圧回路 ,  低損失 ,  低ノイズ ,  ドライバ