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J-GLOBAL ID：201502243961103958   整理番号：15A0418846

有機金属化学蒸着によって成長したInSbN合金の光学的性質及び結合挙動

Optical properties and bonding behaviors of InSbN alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition

著者 (4件)： JIN Y.J. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technol. of Univ., Singapore 63978, SGP) ,  TANG X.H. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technol. of Univ., Singapore 63978, SGP) ,  TENG J.H. (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  ZHANG D.H. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technol. of Univ., Singapore 63978, SGP)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 416  ページ： 12-16  発行年： 2015年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なった条件でInSb基板上に有機金属化学蒸着(MOCVD)によって成長したInSbN合金における窒素の光学的性質と結合挙動を報告する。エネルギー禁止帯幅の減少が合金で示され,その値は成長温度とN/(N+Sb)フラックス比に従って変化した。In-Nがバンドギャップ縮小の主要因であるが,その他に,In-N-Sb,N-N及びSb-N結合も合金に中に存在し,これらが伝導帯のテイルに局在準位を作り,非Varshni類似の挙動をし,InSb基板と格子不整合をもたらしている。Sb-N結合がMOCVD成長合金中では他の形態よりも豊富であることがわかった。これはおそらく低成長温度と高いSb/Inフラックス比に起因する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *アンチモン化インジウム ,  *窒素化合物 ,  *光学的性質 ,  *結合 ,  エネルギー ,  局在準位 ,  格子不整合
準シソーラス用語： 禁止帯エネルギー

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  合金 ,  光学的性質 ,  挙動